HUBERT  HEUSNER
Industrievertretungen / Handel

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Advanced Interconnection Technology (AIT) Ltd aus Manchester, England hat ein
besonderes Verfahren entwickelt um Kupfer galvanisch auf Keramik Substarte aufzubringen.

Kunststoffe wie Hochleistungs-PPS und Hochleistungspolyester (MID) werden auch  metalliert. 

Gerne helfen wir Ihnen bei der Entwicklung Ihres Substrat oder MID (Molded Interconnct Devices). 

Auch 3D Anforderungen werden realisiert

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                 3D  Keramik Substrat 25 x 2,5 x 1,5 mm                                    PPS MID

Der Einsatz von Keramik-Substraten kann die Leistungsfähigkeit Ihre Schaltung bezüglich der Wärmeabfuhr und Leitfähigkeit wesentlich steigern.

Im HF-Bereich ist die Dämpfung wesentlich geringer. 3D Metallisierung bringt Sie um
Längen nach vorne bei Ihrer Fiberoptic Applikation oder im Antennenbereich.

Schnell und preisgünstig können wir Ihnen auch Muster für Ihr Entwicklungsteam anfertigen 
senden Sie uns Ihre Spezifikation und die Layoutdaten einfach zu.

Wichtigste Vorteile

üHöhere Schaltungsdichte als auf herkömmliches FR4, FR2, PTFE, Polyimide Materialen und in der Dickfilm Technologie
üSehr gute Hochfrequenz Charakteristik
Gutes Temperatur Management und Wärmeableitungs-Vermögen
üHervorragende Lötbarkeit und Wirebond Charakteristik
Niedrige Werkzeugkosten und schnelles amortisieren der Prototypen
üVielseitigkeit
Besseres Preis-Leistungsverhältnis wie herkömmliche Dünnschichtsubstrate
Die Substrate sind sehr robust

 

Fachbeitrag: Copper Plated Ceramic Substrate

Der Trend in der Mikromontage und der kompakte Aufbau in der Mikroelektronik geht zu immer kleineren und leistungsfähigeren Schaltungen.

Die ständige Leistungssteigerung der Halbleiterindustrie und die immer höheren               Ansprüche der Kunden bezüglich der Integration stellen an die Materialien und                   Prozesse beim Fertigen von Schaltungsträgern immer neue Aufgaben.

Advanced Interconnection Technology Ltd (AIT) hat das galvanische Aufbringen von           Metallen weiter entwickelt und verfeinert. Die Leistungsfähigkeit der von AIT              produzierten COPPER PLATED CERAMIC (CPC) Substrate gewinnt immer mehr an             Bedeutung. Es können Kupferstärken bis 300 μm aufgebracht werden die Auflösung               richtet sich nach der Kupferdicke des Leiters. Es werden bei einem 10 μm starken Leiter Strukturen < 30 20 μm erreicht. Bei einer Kupferdicke von 100 μm beträgt die Auflösung immer noch 100 μm. 

Die Fertigung eines CPC Substrates wird wie folgt realisiert:

Metallisierung des Keramik Substrats durch aufbringen einer dünnen leitenden Schicht
 
Aufbringen des Photoresists
Belichten mit UV – Licht, ätzen
Galvanisch metallisieren
Entfernen des Fotostopplackes und dem Initiallayer. Es bleiben nur noch die Leiter auf dem Substrate haften
Mit diesem Verfahren sind Leiterbahnabstände <30 um möglich


Die CPC Substarte kommen dort zum Einsatz wo Dickschicht- und Dünnschicht Hybride verwendet werden oder FR4 Leiterplatten an Ihre Grenzen stoßen. Der einfache und reproduzierbare CPC Prozess kann häufig Dünnschicht- und Dickschicht-Schaltungen preisgünstig ersetzen.  

Die sehr gute Hochfrequenz Charakteristik ist optimal für Anwendungen bis 40 GHz. Das gute Temperatur Management und Wärmeableitungs-Vermögen wird kombiniert mit einer hervorragende Lötbarkeit und wire bonding Charakteristik. Je nach Bondprozess wird die entsprechende Metallisierung vorgenommen z.B. Kupfer, Nickel und Gold. Diese positiven Eigenschaften machen CPC Substrate für Power Module und andere Anwendungen sehr interessant. 

3-Dimensionale CPC Substrate finden Einzug in der Fiberoptic Industrie. Hier gibt es einige spezifische Anwendungen wo das Bonden des Optischen Sensors und das wire bonding auf einer der Seiten des Substrates durchgeführt wird. Dieser Prozess bringt eine erhebliche Vereinfachung bei der Umsetzung von optischen in elektrische Signale.

Gerne helfen wir Ihnen weiter bei der Einführung neuer Techniken. Das betrifft die Entwicklungsdienstleistung für Power- und HF Anwendungen ebenso wie das schnelle und preisgünstige fertigen von Substrate-Mustern. 

Leistungs-Elektronik

Kupferauflage bis zu 300 um
 Substrate Dicken bis 4 mm (geklebt)
 Unterschiedliche Endmetallisierungen
 Gute Leitfähigkeit und Wärmeverteilung

HF-Technik

 Sehr niedriger Widerstand und stabiles Material
 Geringe Verluste, geringer 0,02 dB/cm bei 5 GHz
 Durchkontaktierungen möglich
 Gute Reproduzierbarkeit der Strukturen

Multi-Chip-Module (MCM)

 

Gerne beantworte ich Ihre Fragen, bitte rufen Sie mich an unter
Tel: 06106-646439 oder senden Sie ein E-Mail an:

HubertHeusner@t-online.de

 

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